DDR3 – это новейший этап развития памяти типа DDR SDRAM. Первые модули памяти DDR3 были выпущены компанией Infineon в июле 2005.
От модулей DDR2 новые модули отличаются более высокой скоростью передачи данных и меньшим энергопотреблением. Скорость передачи данных устройств памяти DDR3 будет достигать 1600 Мбит в секунду. Напряжение питания снижено до 1.5 вольт. У устройств DDR2 этот показатель составляет 1.8 вольт.
Повышенная скорость передачи данных позволяет оптимально сопрягать устройства памяти DDR3 с таким высокопроизводительным процессором, как Intel Core Duo. Этот тандем уже реализован в ноутбуках Sony VAIO серии FE (модель VGN-FE590GC, серия моделей VGN-FE590 CTO). Как результат снижения напряжения питания уменьшается энергопотребление и нагрев компьютера. Это свойство устройств памяти DDR3 окажется особенно ценным при установке их на мобильных ПК. Объемы памяти отдельных компонентов будет составлять от 512 Мбит до 8 Гбит. Первоначально будут выпускаться преимущественно компоненты объемом от 512 Мбит до 1Гбита, затем произойдет переход на компоненты объемом в 2Гбита, 4Гбита и более. Объемы памяти модулей будут составлять от 256 Мб (на основе компонентов объемом 512 Мбит) до 8 Гб (на основе 2-гигабитных компонентов). Модули объемом более 8 Гб специального назначения (например, для применения в серверах) появятся несколько позднее
ICQ: 
ICQ: 
(062) 345-97-66